近日，光电材料与技术学院师生在理解量子点发光的空穴注入原理方面取得重要研究进展，研究成果 “Revisiting Hole Injection in Quantum Dot Light-Emitting Diodes”在国际权威期刊《Advanced Functional Materials》(中科院1区，影响因子19) 上发表。2019级光电信息工程专业硕士研究生雷诗云为论文第一作者，指导教师为肖标副教授，江汉大学为唯一完成单位。

该研究聚焦被称为下一代显示技术的量子点发光二极管（QLED），采用实验与理论相结合的方法重新审视了QLED中的空穴注入问题，采用瞬态电致发光等先进实验手段及数值模拟等理论仿真方法详细分析了空穴由外电路向器件注入发光的物理过程。研究通过超低温变温实验证实了TAT机制为QLED器件中的空穴注入机理，为后续量子点发光二极管材料研发及器件的优化提供了重要参考。

据介绍，《Advanced Functional Materials》是材料、化学、凝聚态物理、纳米科技等领域的顶级期刊，在中科院和科睿唯安JCR分区中均属于Q1类Top期刊。

该研究得到光电材料与技术学院阳仁强教授、尤庆亮研究员、万明博士、邹立勇老师的指导，获得国家自然科学基金、江汉大学中青年拔尖人才培养计划以及江汉大学一流学科建设专项经费支持。